SVF4N60RD数据手册Silan中文资料规格书
SVF4N60RD规格书详情
描述 Description
SVF4N60RD(F)(M)(MJ) N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
：SVF4N60RD
- 生产厂家
：Silan
- Status
：MP
- Type
：N
- Process
：F-cell
- Configuration
：Single
- Popular Application
：High Voltage
- ESD Diode
：NO
- Schottky Diode
：NO
- Schottky Type
：NO
- Package
：TO-252-2L
- VGS
：30
- ID @25℃
：2~4
- PD @25℃
：4
- RDS[ON]@VGS=10v
：77
- VGS[th]
：2.40
- Ciss
：450.00
- Crss
：4.00
- Qg
：12.80
- Qgd
：5.88
- Td[on]
：10.53
- Td[off]
：24.62
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN |
2024+ |
TO-252-2L |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
SILAN |
19+ |
TO-252 |
500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
2022+ |
TO-220 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
20+ |
TO-252-2L |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Silan |
24+ |
TO-252 |
11000 |
假一赔百原装正品价格优势实单可谈 |
询价 | ||
士兰微/SILAN |
1948+ |
TO-252 |
18562 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO-252 |
30000 |
专营SILAN士兰微原装保障 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
23+ |
TO-252-2L |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
SILAN |
24+ |
TO-252 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
SILAN |
25+ |
TO-252 |
14873 |
询价 |
