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SVF4N65AD	文件：300 bytes Page：1 Pages	平面高压MOS功率管; • 4A，650V，RDS(on)(典型值)=2.2Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快 \n• 提升了dv/dt 能力\n; SVF4N65AT/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。\n\n	SilanSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	Silan
SVF4N65AD	文件：1.07809 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SVF4N65AT	文件：1.09027 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SVF4N65D	文件：1.1635 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SVF4N65F	文件：1.31294 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SVF4N65T	文件：1.09026 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SW4N65	文件：775.92 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET(TO-220F,TO-220)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW4N65	文件：753.03 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET(TO-251,TO-252)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW4N65DA	文件：735.64 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-220F/TO-251N/TO-252/TO-251NX-S4MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

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