平面高压MOS功率管

SVF4N65AT/F/D  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 4A，650V，RDS(on)(典型值)=2.2Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快 \n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特