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SVF4N60CAFJ规格书详情
描述 Description
SVF4N60CAFJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
：SVF4N60CAFJ
- 生产厂家
：Silan
- Polarity
：N
- Vdss (V)
：600
- Id (A)Tc=25℃
：4
- Vgs (th) (V)
：2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
：2
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
：2.4
- Qg@10Vtyp (nC)
：13
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO-252 |
5000 |
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询价 | ||
SILAN |
23+24 |
TO-220F |
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询价 | ||
士兰微 |
2406+ |
TO252 |
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询价 | ||
24+ |
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64000 |
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询价 | |||
SILAN |
24+ |
TO-252 |
36500 |
原装现货/放心购买 |
询价 | ||
士兰微 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
23+ |
T0-252 |
16000 |
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SILAN/士兰微 |
24+ |
TO252-2L |
87500 |
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询价 | ||
SILAN/士兰微 |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
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询价 | ||
SILAN/士兰微 |
23+ |
TO-220F-3L |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |
