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SVF4N60BF数据手册Silan中文资料规格书

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厂商型号

SVF4N60BF

功能描述

平面高压MOS功率管

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 14:36:00

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SVF4N60BF规格书详情

描述 Description

SVF4N60BF/M  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

特性 Features

• 4A,600V,RDS(on)(典型值)=1.7Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SILAN/士兰微
24+
TO220F
6000
原装房间现货可出样品
询价
SILAN
24+
SMD
30000
询价
士兰微
24+
10000
原装现货
询价
SILAN
22+
T0-252
998006
原装正品现货,可开13点税
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SILAN/士兰微
22+
TO-220F
16800
原装正品
询价
SILAN/士兰微
20+
TO-252
374
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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SILAN(士兰微)
2025+
TO-252-3
10560
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SILAN/士兰微
23+
TO-252
50000
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