SVF3N80MJ中文资料F-CellTM系列高压MOSFET数据手册Silan规格书
SVF3N80MJ规格书详情
描述 Description
SVF3N80M/MJ/F/D/T/MN N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 3A，800V，RDS(on)(典型值)=3.8Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
：SVF3N80MJ
- 生产厂家
：Silan
- Polarity
：N
- Vdss (V)
：800
- Id (A)Tc=25℃
：3
- Vgs (th) (V)
：2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
：3.8
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
：4.8
- Qg@10Vtyp (nC)
：9
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
JST(日压) |
24+ |
NA/ |
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SILAN |
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JST |
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JST |
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JST/日压 |
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JST |
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JST |
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JST/日压 |
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询价 |
