平面高压MOS功率管

SVF3N50D/MJ  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 3A，500V，RDS(on)(典型值)=2.7Ω@VGS=10V\n• 低反向传输电容\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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微碧半导体

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 0.95 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Material categorization: for definitions o

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VishayVishay Siliconix

威世