平面高压MOS功率管

SVF2N80F/D/NF/M N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 2A，800V，RDS(on)(典型值)=4.4Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.37539 Mbytes 页数：5 Pages

DOINGTER

杜因特

Power MOSFET

文件：2.12055 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

2 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：170.28 Kbytes 页数：6 Pages

UTC

友顺

Drain Current ID= 2.4A@ TC=25C

文件：68.07 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

2A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：235.68 Kbytes 页数：6 Pages

UTC

友顺