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SVF13N50F

平面高压MOS功率管

SVF13N50T/F/PN  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。 • 13A,500V,RDS(ON)(典型值)=0.44Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

SVF13N50F

丝印:SVF13N50F;Package:TO-220F-3L;13A, 500V N-CHANNEL MOSFET

文件:400.91 Kbytes 页数:9 Pages

SILAN

士兰微

SVF13N50PN

13A, 500V N-CHANNEL MOSFET

文件:400.91 Kbytes 页数:9 Pages

SILAN

士兰微

SVF13N50T

13A, 500V N-CHANNEL MOSFET

文件:400.91 Kbytes 页数:9 Pages

SILAN

士兰微

SW13N50

N-channel MOSFET

文件:704.22 Kbytes 页数:7 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

技术参数

  • Polarity:

    N

  • Vdss (V):

    500

  • Id (A)Tc=25℃:

    13

  • Vgs (th) (V):

    2.0~4.0

  • Rds(on) @10V typ (mΩ):

    0.44

  • Rds (on) @10Vmax (mΩ):

    0.52

  • Qg@10Vtyp (nC):

    30

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-220F
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更多SVF13N50F供应商 更新时间2025-11-24 14:08:00