平面高压MOS功率管

SVF13N50T/F/PN  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。\n\n 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。 • 13A，500V，RDS(ON)(典型值)=0.44Ω@VGS=10V\n• 低栅极电荷量\n• 低反向传输电容\n• 开关速度快\n• 提升了dv/dt 能力;

Silan

士兰微

丝印：SVF13N50T；Package：TO-220-3L；13A, 500V N-CHANNEL MOSFET

文件：400.91 Kbytes 页数：9 Pages

SILAN

士兰微

N-channel MOSFET

文件：704.22 Kbytes 页数：7 Pages

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芯派科技

N-channel TO-220F MOSFET

文件：397.43 Kbytes 页数：5 Pages

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芯派科技

N-channel Enhancement mode TO-220F MOSFET

文件：653.9 Kbytes 页数：6 Pages

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