SVF10N60K中文资料平面高压MOS功率管数据手册Silan规格书
SVF10N60K规格书详情
描述 Description
SVF10N60F/T/S/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 10A，600V，RDS(on)(典型值)=0.75Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
：SVF10N60K
- 生产厂家
：Silan
- Type
：N
- VGS [±V]
：30
- VGS(th)[V]
：2~4
- Package
：TO-262-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILAN/士兰微 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
士兰微 |
24+ |
TO-262-3L |
6000 |
只做原装假一赔十 |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
士兰微 |
2023+ |
TO-262-3L |
6895 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
询价 | ||
士兰微 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
士兰微 |
23+ |
TO-262-3L |
4500 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
SILAN/士兰微 |
24+ |
TO-220F |
20000 |
专营SILAN士兰微原装保障 |
询价 | ||
- |
23+ |
TO2203L |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
士兰微 |
22+ |
TO-262-3L |
773 |
原装现货 |
询价 | ||
士兰微 |
25+ |
TO-262-3L |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
