SVF10N60F中文资料平面高压MOS功率管数据手册Silan规格书
SVF10N60F规格书详情
描述 Description
SVF10N60F/T/S/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特性 Features
• 10A，600V，RDS(on)(典型值)=0.75Ω@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt 能力
技术参数
- 制造商编号
：SVF10N60F
- 生产厂家
：Silan
- Polarity
：N
- Vdss (V)
：600
- Id (A)Tc=25℃
：10
- Vgs (th) (V)
：2.0~4.0
- Rds(on) @10V typ (mΩ)
：0.75
- Rds (on) @10Vmax (mΩ)
：0.9
- Qg@10Vtyp (nC)
：28.3
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