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SVD3205T中文资料110A、55VN沟道增强型场效应管数据手册Silan规格书

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厂商型号

SVD3205T

功能描述

110A、55VN沟道增强型场效应管

制造商

Silan Silan Microelectronics Joint-stock

中文名称

士兰微 杭州士兰微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 18:28:00

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SVD3205T规格书详情

描述 Description

SVD3205T/F/S N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子平面低压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于电子镇流器,低功率开关电源。

特性 Features

• 110A,55V,RDS(on)(典型值)=7.5mW@VGS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快 
• 提升了dv/dt 能力

技术参数

  • 制造商编号

    :SVD3205T

  • 生产厂家

    :Silan

  • Polarity

    :N

  • Vdss (V)

    :55

  • Id (A)Tc=25℃

    :110

  • Vgs (th) (V)

    :2.0~3.5

  • Rds(on) @10V typ (mΩ)

    :7.5

  • Rds (on) @10Vmax (mΩ)

    :8

  • Qg@10Vtyp (nC)

    :67

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SILAN
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SILAN士兰微
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