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SVD1055SATR	文件：338.37 Kbytes Page：9 Pages	Marking：SVD1055SA；Package：SOP-8-225-1.27；17A, 55V N/P-CHANNEL MOSFET GENERALDESCRIPTION SVD1055SAisacombinationdevicepackagedwithanN-channelanda P-channelenhancementmodeMOSFET,whichisproducedusingSilan proprietarylow-voltageplanarVDMOSprocess.Theimprovedprocess andcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimizeon-state res	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
T-1055	文件：38.95 Kbytes Page：1 Pages	BASE/GATEDRIVERTRANSFORMER	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
TC1055	文件：456.26 Kbytes Page：20 Pages	50mA,100mAand150mACMOSLDOswithShutdownandERROROutput	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TC1055	文件：389.68 Kbytes Page：18 Pages	50mA,100mAand150mACMOSLDOswithShutdownandERROROutput	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TC1055	文件：501.73 Kbytes Page：18 Pages	50mA,100mAand150mACMOSLDOswithShutdownandERROROutput GENERALDESCRIPTION TheTC1054isahighaccuracy(typically±0.5)CMOSupgradeforolder(bipolar)lowdropoutregulators.Designedspecificallyforbattery-operatedsystems,theTC1054’sCMOSconstructioneliminateswastedgroundcurrent,significantlyextendingbatterylife.Totalsupplycur	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TGA1055	文件：482.49 Kbytes Page：3 Pages	KaBand2WattPowerAmplifier KeyFeaturesandPerformance •0.25umpHEMTTechnology •20dBNominalGain •2WNominalPout •-30dBcIMR3@26dBmSCL •Bias7V@1.4A •ChipDimensions5.89mmx3.66mm PrimaryApplications •LMDS •Point-to-PointRadio •SatelliteGroundTerminal Rel	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TGA1055-EPU	文件：482.49 Kbytes Page：3 Pages	KaBand2WattPowerAmplifier KeyFeaturesandPerformance •0.25umpHEMTTechnology •20dBNominalGain •2WNominalPout •-30dBcIMR3@26dBmSCL •Bias7V@1.4A •ChipDimensions5.89mmx3.66mm PrimaryApplications •LMDS •Point-to-PointRadio •SatelliteGroundTerminal Rel	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
THAH1055	文件：169.76 Kbytes Page：1 Pages	ThroughHolePowerInductors	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
TPD1055FA	文件：421.06 Kbytes Page：12 Pages	ToshibaIntelligentPowerDeviceSiliconMonolithicPowerMOSIntegratedCircuit ForMotor,SolenoidandLamp Highsidepowerswitch TPD1055FAisaHigh-sideswitchofaPchannelDMOS output.ItismonolithicpowerICthatcanbedrivendirectly fromaCMOSorTTLlogiccircuit(MPUetc.),andwas equippedwiththeintelligentfunctionofprotectionand diagnosis.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TSD-1055	文件：301.8 Kbytes Page：9 Pages	OFF-LINESWITCHMODETRANSFORMERS GENERALAPPLICATIONINFORMATION PremierMagneticsOff-LineSwitchModeTransformershavebeendesignedforusewithPowerIntegrations,Inc.TOPXXXseriesofoff-linePWMswitchingregulatorsintheFlybackBuck-Boostcircuitconfiguration.Thisconversiontopologycanprovideisolatedmultipleo	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI

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