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SUP90100E_V01	文件：159.08 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Maximum 175 °C junction temperature • Very low Qgd reduces power loss from passing through Vplateau • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Switching power s 文件：159.08 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SUM90100E_V01	文件：193.78 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFETS FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Maximum 175 °C junction temperature • Very low Qgd reduces power loss from passing through Vplateau • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Switching power s 文件：193.78 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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更多SUP90100E_V01供应商更新时间2025-12-10 17:00:00