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SUN830D	文件：408.48 Kbytes Page：8 Pages	丝印：SUN830；Package：TO-252；Advanced N-Ch Power MOSFET 文件：408.48 Kbytes 页数：8 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
SUN830D	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage Power MOSFETs	Kodenshi-AUK	Kodenshi-AUK
VND830	文件：308.39 Kbytes Page：19 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER DESCRIPTION The VND830 is a monolithic device made by using STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for driving any kind of load with one side connected to ground. Active VCC pin voltage clamp protects the devices against low energy spikes (see ISO7637 transient compatibility table) 文件：308.39 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND830SP	文件：266.39 Kbytes Page：18 Pages	DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER DESCRIPTION The VND830SP is a monolithic device made by using STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for driving any kind of load with one side connected to ground. Active VCC pin voltage clamp protects the device against low energy spikes (see ISO7637 transient compatibility table 文件：266.39 Kbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNQ830	文件：308.59 Kbytes Page：20 Pages	QUAD CHANNEL HIGH SIDE DRIVER Description The VNQ830 is a quad HSD formed by assembling two VND830 chips in the same SO-28 package. The VND830 is a monolithic device made using\| STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 Technology. The device is intended for driving any type of multiple load with one side connected to ground. Featur 文件：308.59 Kbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Configuration：
Single
Polarity：
N-ch
VDSS (V)：
500
ID (A)：
4.5
PD (W)：
48
RDS(on)Max. (Ω)at VGS=10V：
1.5
Qg Typ.(nC)at VGS=10V：
13.5
Ciss Typ.(pF)：
790
VGS(th)@ID=250uA_Min. (V)：
2
VGS(th)@ID=250uA_Max. (V)：
4
Features：
Advanced Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	SUN8602	日晟微	23+	SOT23-6	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳博中泰实业有限公司	SUN8602	N/A	25+	NA	20000	本公司只做全新原装正品	询价
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更多SUN830D供应商更新时间2026-10-30 11:00:00

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