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SUM70030M	文件：218.63 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Maximum175°Cjunctiontemperature •VerylowQgdreducespowerlossfrompassing throughVplateau •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Powersupply -	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUM70030M	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET;	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUP70030E	文件：159.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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TLV70030DCKR	文件：937.64 Kbytes Page：34 Pages	200-mA,Low-IQ,Low-DropoutRegulatorforPortableDevices	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV70030DCKR	文件：740.98 Kbytes Page：27 Pages	200-mALow-IQLow-DropoutRegulatorforPortableDevices	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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技术参数

Package：
D2PAK (TO-263-7L)
Ch：
N
VDS (V)：
100
VGS (V)：
20
RDS(on)@7.5V (Ω)：
0.0037
RDS(on)@10V (Ω)：
0.0035
Qg @10V (nC)：
142.4
Qgs (nC)：
46.8
Qgd (nC)：
18.5
ID Max. (A)：
150
PD Max. (W)：
375
VGS(th) Min. (V)：
2
Rg Typ. (Ω)：
1.7

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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