N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET

FEATURES  • TrenchFET® Power MOSFETs  • 175 °C Junction Temperature  • New Low Thermal Resistance Package  • PWM Optimized  • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS  • Primary Side Switch

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 40A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =38mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

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N-Channel 150-V (D-S) 175C MOSFET

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N-Channel 150-V (D-S) 175Celsius MOSFET

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