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SUF2001

HIGH EFFICIENT PLASTIC SILICON RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT: 2.0A

VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT: 2.0A FEATURE Low power loss High surge capability Ultrafast recovery time for high efficiency High temperature soldering guaranteed 250°C/10sec/0.375”lead length at 5 lbs tension

文件:356 Kbytes 页数:2 Pages

GULFSEMI

海湾电子

SUF2001

30V Dual N-and P-channel Trench MSFET

Features • Low VGS(th): VGS(th)=1.0~3.0V • Small footprint due to small package • Low RGDS(on): N-ch, RDS(on)=24mΩ (@ VGS=10V, ID=2.9A) P-ch, RDS(on)=66mΩ (@ VGS=-10V, ID=-2.7A)

文件:541.45 Kbytes 页数:13 Pages

KODENSHI

可天士

SUF2001

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.74841 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

SUF2001

Dual N and P-channel Trench MOSFET

文件:638.89 Kbytes 页数:13 Pages

AUK

SUF2001

Low Voltage Trench MOSFETs

Kodenshi-AUK

技术参数

  • Configuration:

    Dual

  • Polarity:

    N \\u0026 P-Ch

  • VDSS (V):

    30/-30

  • ID (A):

    5.8/-5.3

  • PD (W):

    2.0

  • RDS(on)Max. (Ω)atVGS=10V:

    0.03

  • Qg Typ.(nC)atVGS=10V:

    4.2

  • Ciss Typ.(pF):

    370

  • VGS(th)@ID=250uA_Min. (V):

    1

  • VGS(th)@ID=250uA_Max. (V):

    3

  • Features:

    Trench MOSFET

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更多SUF2001供应商 更新时间2025-10-13 17:23:00