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SUD35N05-26L-E3	文件：1.0972 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) 文件：1.0972 Mbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
SUD35N05-26L-E3	文件：888.35 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：888.35 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SUD50N025-09BP-4E3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY SOT252	VishayVishay Siliconix 威世科技上传：深圳市振宏微科技有限公司	Vishay
SUD50N04-8M8P-4GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY/威世 TO-252	VISHAY/威世上传：深圳市麒裕半导体科技有限公司	VISHAY/威世
SUD50P04-08-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY/威世 TO-252	VISHAY/威世上传：深圳市得捷芯城科技有限公司	VISHAY/威世

详细参数

型号：
SUD35N05-26L-E3
功能描述：
MOSFET 55V 35A 50W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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