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SUD19N20-90-E3

N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET

文件:98.32 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUD19P06-60-GE3

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VISHAY/威世

SUD23N06-31L-T4-E3

SOT252

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SUD50N025-09BP-4E3

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上传:深圳市振宏微科技有限公司

SUD50N04-8M8P-4GE3

TO-252

VISHAY/威世

详细参数

  • 型号:

    SUD19N20-90-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 200V 17.5A 100W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SUD19N20-90-E3供应商 更新时间2026-2-8 9:03:00