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STY34NB50

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=34A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.13Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

STY34NB50

Marking:Y34NB50;N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STY34NB50F

N - CHANNEL 500V - 0.11ohm - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET

DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAYprocess,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)per

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STY34NB50F

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=34A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    STY34NB50

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 500 Volt 34 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST
24+
TO-247
150
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ST
06+
TO-247
2380
原装库存
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ST
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TO-247
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全新原装,现货库存,长期供应
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MAX247
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ST
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
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ST/意法
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货
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22+
TO2473
9000
原厂渠道,现货配单
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更多STY34NB50供应商 更新时间2025-7-26 10:02:00