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STY130NF20D中文资料N-channel 200 V, 0.01 Ohm typ., 130 A, STripFET(TM) II with fast recovery diode Power MOSFET in Max247 package数据手册ST规格书
STY130NF20D规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET is produced using STMicroelectronics’ unique STripFET™ process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. The device offers extremely fast switching performance thanks to the intrinsic fast body diode, making the device ideal for hard switching topologies.
特性 Features
Exceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Low gate charge
技术参数
- 型号：
STY130NF20D
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 200V 0.01 Ohm 130A STripFET II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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