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STWA65N60DM6数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

STWA65N60DM6

参数属性

STWA65N60DM6 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 600V 38A TO247

功能描述

N沟道600 V、60 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET,TO-247长引线封装
MOSFET N-CH 600V 38A TO247

封装外壳

TO-247-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:06:00

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STWA65N60DM6规格书详情

描述 Description

These high-voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

特性 Features

• Fast-recovery body diode
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected

简介

STWA65N60DM6属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STWA65N60DM6晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STWA65N60DM6

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-247 long leads

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.071

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :38

  • PTOT_max(W)

    :250

  • Qg_typ(nC)

    :54

  • Features

    :Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)

    :116

  • Qrr_typ(nC)

    :580

  • Peak Reverse Current_nom(A)

    :10

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
23+
TO-247 long leads
12500
ST系列在售,可接长单
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ST/意法半导体
23+
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ST/意法半导体
24+
TO-247-3
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