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STWA35N65DM2中文资料N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package数据手册ST规格书

| 厂商型号 |
STWA35N65DM2 |
| 参数属性 | STWA35N65DM2 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:PTD HIGH VOLTAGE |
| 功能描述 | N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-18 17:40:00 |
| 人工找货 | STWA35N65DM2价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
STWA35N65DM2规格书详情
简介
STWA35N65DM2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由ST制造生产的STWA35N65DM2晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
:STWA35N65DM2
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-247 long leads
- Grade
:Industrial
- VDSS(V)
:650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
:0.11
- Drain Current (Dc)_max(A)
:32
- PTOT_max(W)
:250
- Qg_typ(nC)
:56.3
- Features
:Fast-recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
:100
- Qrr_typ(nC)
:420
- Peak Reverse Current_nom(A)
:8.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-247-3 |
16900 |
原厂原装,价格优势,欢迎洽谈! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
2526+ |
原厂封装 |
50000 |
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询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247-3 |
12820 |
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询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO247 |
7350 |
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询价 |

