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STWA35N65DM2中文资料N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package数据手册ST规格书

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厂商型号

STWA35N65DM2

参数属性

STWA35N65DM2 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:PTD HIGH VOLTAGE

功能描述

N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
PTD HIGH VOLTAGE

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-11-18 17:40:00

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STWA35N65DM2规格书详情

简介

STWA35N65DM2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由ST制造生产的STWA35N65DM2晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STWA35N65DM2

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-247 long leads

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :650

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.11

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :32

  • PTOT_max(W)

    :250

  • Qg_typ(nC)

    :56.3

  • Features

    :Fast-recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)

    :100

  • Qrr_typ(nC)

    :420

  • Peak Reverse Current_nom(A)

    :8.4

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