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STWA35N65DM2数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
STWA35N65DM2 |
| 参数属性 | STWA35N65DM2 包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：PTD HIGH VOLTAGE |
| 功能描述 | N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 12:00:00 |
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STWA35N65DM2规格书详情
简介
STWA35N65DM2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STWA35N65DM2晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：STWA35N65DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247 long leads
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.11
- Drain Current (Dc)_max(A)
：32
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：56.3
- Features
：Fast-recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：100
- Qrr_typ(nC)
：420
- Peak Reverse Current_nom(A)
：8.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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