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STWA63N65DM2中文资料N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package数据手册ST规格书
STWA63N65DM2规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STWA63N65DM2
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247 long leads
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.05
- Drain Current (Dc)_max(A)
：60
- PTOT_max(W)
：446
- Qg_typ(nC)
：120
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：154
- Qrr_typ(nC)
：940
- Peak Reverse Current_nom(A)
：12.2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2021+ |
TO-247-3 |
7600 |
原装现货，欢迎询价 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-247-3 |
16900 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-247 |
16900 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST |
130 |
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询价 | ||||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247-3 |
12820 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247-3 |
16900 |
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询价 | ||
24+ |
N/A |
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ST/意法半导体 |
25+ |
TO-247-3 |
6000 |
原厂原装 欢迎询价 |
询价 | ||
ST |
2511 |
TO-247 |
16900 |
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询价 |
