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STWA30N65DM6AG

Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long leads package

该高电压N-沟道功率MOSFET来自MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与之前的MDmesh快速恢复二极管相比,DM6兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快恢复时间(trr),并且在单位面积的RDS(on)值方面有了极大改进,采用市场上最高效的开关行为之一,适用于要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。 • 符合AEC-Q101 \n• 快速恢复体二极管 \n• 与上一代相比,具有更低的单位面积RDS(on)值 \n• 低栅极电荷、输入电容和电阻 \n• 经过100%雪崩测试 \n• 非常高的dv / dt耐用性 \n• 稳压保护;

ST

意法半导体

STWA30N65DM6AG

丝印:30N65DM6;Package:TO-247;Automotive-grade N-channel 650 V, 90 m廓 typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long leads package

文件:474.26 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB30N65DM6AG

Power MOSFET in a D짼PAK package

文件:399.01 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP30N65DM6AG

Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mΩ typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

Features • AEC-Q101 qualified • Fast-recovery body diode • Lower RDS(on) per area vs previous generation • Low gate charge, input capacitance and resistance • 100 avalanche tested • Extremely high dv/dt ruggedness • Zener-protected Description This high-voltage N-channel Power MOSFET is

文件:235.78 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • Package:

    TO-247 long leads

  • Grade:

    Automotive

  • VDSS(V):

    650

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.11

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    28

  • PTOT_max(W):

    284

  • Qg_typ(nC):

    46

  • Features:

    Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns):

    126

  • Qrr_typ(nC):

    630

  • Peak Reverse Current_nom(A):

    10

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更多STWA30N65DM6AG供应商 更新时间2026-2-3 9:31:00