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STW8N120K5
厂商型号

STW8N120K5

功能描述

N-channel 1200 V, 1.65 Ω typ., 6 A, MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

丝印标识

8N120K5

封装外壳

TO-247

文件大小

278.86 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 11:25:00

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STW8N120K5规格书详情

特性 Features

• Industry’s lowest RDS(on) x area

• Industry’s best FoM (figure of merit)

• Ultra-low gate charge

• 100 avalanche tested

• Zener-protected

Applications

• Switching applications

描述 Description

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5

technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a

dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications

requiring superior power density and high efficiency.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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