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STW70N60DM6分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

STW70N60DM6
厂商型号

STW70N60DM6

参数属性

STW70N60DM6 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 600V 62A TO247

功能描述

N-channel 600 V, 36 m廓 typ., 62 A, MDmesh DM6 Power MOSFETs in TO??47 and TO??47 long leads packages
MOSFET N-CH 600V 62A TO247

丝印标识

70N60DM6

封装外壳

TO-247 / TO-247-3

文件大小

347.67 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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STW70N60DM6规格书详情

STW70N60DM6属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由意法半导体集团制造生产的STW70N60DM6晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STW70N60DM6

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    MDmesh™ DM6

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    62A(Tc)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 600V 62A TO247

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