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STW70N60DM2

Extremely high dv/dt ruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

70n60dm2

Extremelyhighdv/dtruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STWA70N60DM2

N-channel600V,0.037typ.,66AMDmeshTMDM2PowerMOSFETinaTO-247longleadspackage

Features •Fast-recoverybodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitance •Lowon-resistance •100avalanchetested •Extremelyhighdv/dtruggedness •Zener-protected Description ThishighvoltageN-channelPowerMOSFETispartoftheMDmesh™DM2fastrecoverydiodeseries.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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更多STW70N60DM2供应商 更新时间2025-7-16 13:18:00