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STW45N60DM6规格书详情
描述 Description
These high-voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• Fast-recovery body diode
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STW45N60DM6
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.099
- Drain Current (Dc)_max(A)
：30
- PTOT_max(W)
：210
- Qg_typ(nC)
：44
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：105
- Qrr_typ(nC)
：480
- Peak Reverse Current_nom(A)
：9.3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
Through Hole |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ST |
21+ |
TO-247-3 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
Through Hole |
10000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
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原厂封装 |
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STM |
19+ |
17625 |
TO-247-3 |
询价 | |||
ST/意法 |
17+ |
TO-247 |
982 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
STM |
19+ |
TO-247-3 |
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15年光格 只做原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
Through Hole |
6000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25 |
Through Hole |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
542 |
只做正品 |
询价 |
