N-Channel Power MOSFET

DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 950V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 170mΩ(typ)@VGS= 10V ·Fast-recovery body diode APPLICATIONS ·Switching applications

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ISC

无锡固电

丝印：40N95DK5；Package：TO-247；N-channel 950 V, 0.120 廓 typ., 38 A, MDmesh??DK5 Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N沟道950 V、0.120 Ohm典型值、38 A MDmesh DK5功率MOSFET，TO-247封装

这种超高电压N-沟道功率MOSFETs是MDmesh™DK5快速恢复二极管系列的一部分。The MDmesh™ DK5 结合非常低的恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间 (trr) ，在 RDS(on) * 面积上进行了出色的改进，开关行为表现高效，非常适合半桥和全桥转换器。 • 快速恢复体二极管 \n• 出色的 RDS(on) x 面积 \n• 低栅极电荷、输入电容和电阻 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 非常高的dv / dt耐用性;

ST

意法半导体

N-channel 950 V, 0.120 廓 typ., 38 A, MDmesh??DK5 Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages

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意法半导体