首页>STW21NM60ND>规格书详情
STW21NM60ND中文资料N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in TO-247 package数据手册ST规格书
STW21NM60ND规格书详情
描述 Description
These FDmesh™ II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. They are ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
Intrinsic fast-recovery body diode
Worldwide best R
DS(on)*area amongst the fast recovery diode devices
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
技术参数
- 型号：
STW21NM60ND
- 功能描述：
MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
30 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
23+ |
原盒原包装 |
33000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
2024+ |
TO-247-3 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
TO-247-3 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-247-3 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-247-3 |
5000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-247 |
7814 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST |
20+ |
TO-247 |
69052 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
STM |
2018+ |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 |
