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STW18N65M5中文资料N沟道650 V、0.198 Ohm典型值、15 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-247封装数据手册ST规格书
STW18N65M5规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
特性 Features
• Worldwide best RDS(on) * area
• Higher VDSSrating and high dv/dt capability
• Excellent switching performance
• 100% avalanche tested
技术参数
- 制造商编号
：STW18N65M5
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-247
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.22
- Drain Current (Dc)_max(A)
：15
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：34
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-247-3 |
16900 |
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ST/意法半导体 |
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TO-247-3 |
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ST/意法 |
22+ |
SMD |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-247-3 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247-3 |
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ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-247-3 |
6000 |
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ST(意法) |
23+ |
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SST |
原厂封装 |
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