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STU60N3LH5中文资料N-channel 30 V, 0.0076 Ohm typ., 48 A STripFET H5 Power MOSFET in an IPAK package数据手册ST规格书
STU60N3LH5规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.
特性 Features
Low on-resistance R
DS(on)
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
技术参数
- 型号：
STU60N3LH5
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
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TO-251 |
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SST |
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ST |
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TO-251 |
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ST |
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ST |
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