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STU60N3LH5规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.
特性 Features
Low on-resistance R
DS(on)
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
技术参数
- 型号：
STU60N3LH5
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-251 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-251 |
30000 |
只做正品原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-251 |
60000 |
询价 | |||
ST |
22+ |
TO251 |
163081 |
原装正品现货,可开13个点税 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法 |
2022+ |
5000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
ST |
2025+ |
TO-251 |
5216 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-251 |
96848 |
询价 | |||
ST |
2016+ |
TO-251 |
3166 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 |
