STTH302S中文资料200 V、3 A SMC超高速二极管数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
STTH302S |
| 参数属性 | STTH302S 封装/外壳为DO-214AB，SMC；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 200V 3A SMC |
| 功能描述 | 200 V、3 A SMC超高速二极管 |
| 封装外壳 | DO-214AB，SMC |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-28 12:00:00 |
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STTH302S规格书详情
描述 Description
The STTH302S, which is using ST's new 200V planar technology, is specially suited for switching mode base drive & transistor circuits.
The device is also intended for use as a free wheeling diode in power supplies and other power switching applications.
特性 Features
• Very low conduction losses
• Low forward and reverse recovery times
• Negligible switching losses
• High junction temperature
简介
STTH302S属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的STTH302S二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
：STTH302S
- 生产厂家
：ST
- Number of Diodes_spec
：1
- Marketing Status
：Active
- Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)
：200
- Average Rectified Current_max(A)
：3
- VF_max(V)
：0.95
- Reverse Current_max(mA)
：0.003
- Reverse Recovery Time_max(ns)
：35
- Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)
：100
- Junction Temperature_max(°C)
：175
- General Description
：200 V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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