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STTH2R06数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

STTH2R06

参数属性

STTH2R06 封装/外壳为DO-204AL,DO-41,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 2A DO41

功能描述

600 V、2 A Turbo 2超高速二极管
DIODE GEN PURP 600V 2A DO41

封装外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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STTH2R06规格书详情

描述 Description

The STTH2R06 uses ST Turbo 2 600 V planar Pt doping technology. It is specially suited for switching mode base drive and transistor circuits.

Packaged in axial, SMA, SMB and SMC, this device is intended for use in high frequency inverters, free wheeling and polarity protection.

特性 Features

• Very low conduction losses
• Low forward and reverse recovery times
• Negligible switching losses
• High junction temperature

简介

STTH2R06属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的STTH2R06二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STTH2R06

  • 生产厂家

    :ST

  • Number of Diodes_spec

    :1

  • Marketing Status

    :Active

  • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)

    :600

  • Average Rectified Current_max(A)

    :2

  • VF_max(V)

    :1.7

  • Reverse Current_max(mA)

    :0.002

  • Reverse Recovery Time_max(ns)

    :30

  • Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)

    :30

  • Junction Temperature_max(°C)

    :175

  • General Description

    :600 V

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