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STTH1R02中文资料200 V,1 A超高速二极管数据手册ST规格书

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厂商型号

STTH1R02

参数属性

STTH1R02 封装/外壳为DO-204AL,DO-41,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO41

功能描述

200 V,1 A超高速二极管
DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO41

封装外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:54:00

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STTH1R02规格书详情

描述 Description

The STTH1R02 uses ST's new 200 V planar Pt doping technology, and it is specially suited for switching mode base drive and transistor circuits.

Packaged in SMA, SMB, DO-41 and DO-15, the STTH1R02 is ideal for use low voltage, high frequency inverters, free wheeling and polarity protection

特性 Features

• Very low conduction losses
• Negligible switching losses
• Low forward voltage drop
• High junction temperature
• ECOPACK®2

简介

STTH1R02属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的STTH1R02二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STTH1R02

  • 生产厂家

    :ST

  • Number of Diodes_spec

    :1

  • Marketing Status

    :Active

  • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)

    :200

  • Average Rectified Current_max(A)

    :1

  • VF_max(V)

    :1

  • Reverse Current_max(mA)

    :0.003

  • Reverse Recovery Time_max(ns)

    :20

  • Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)

    :60

  • Junction Temperature_max(°C)

    :175

  • General Description

    :200 V

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