STTH1R02中文资料200 V,1 A超高速二极管数据手册ST规格书

厂商型号 |
STTH1R02 |
参数属性 | STTH1R02 封装/外壳为DO-204AL,DO-41,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO41 |
功能描述 | 200 V,1 A超高速二极管 |
封装外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 9:54:00 |
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STTH1R02规格书详情
描述 Description
The STTH1R02 uses ST's new 200 V planar Pt doping technology, and it is specially suited for switching mode base drive and transistor circuits.
Packaged in SMA, SMB, DO-41 and DO-15, the STTH1R02 is ideal for use low voltage, high frequency inverters, free wheeling and polarity protection
特性 Features
• Very low conduction losses
• Negligible switching losses
• Low forward voltage drop
• High junction temperature
• ECOPACK®2
简介
STTH1R02属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的STTH1R02二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
:STTH1R02
- 生产厂家
:ST
- Number of Diodes_spec
:1
- Marketing Status
:Active
- Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)
:200
- Average Rectified Current_max(A)
:1
- VF_max(V)
:1
- Reverse Current_max(mA)
:0.003
- Reverse Recovery Time_max(ns)
:20
- Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)
:60
- Junction Temperature_max(°C)
:175
- General Description
:200 V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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