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STTH16L06C中文资料600 V、16 A双路低压降超高速二极管数据手册ST规格书

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厂商型号

STTH16L06C

参数属性

STTH16L06C 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 600V 10A D2PAK

功能描述

600 V、16 A双路低压降超高速二极管
DIODE ARRAY GP 600V 10A D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:54:00

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STTH16L06C规格书详情

描述 Description

The STTH16L06, which is using ST Turbo 2 600 V technology, is specially suited for use in switching power supplies, and industrial applications, as rectification and discontinuous mode PFC boost diode.

特性 Features

• Ultrafast switching
• Low reverse recovery current
• Reduces switching and conduction losses
• Low thermal resistance

简介

STTH16L06C属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的STTH16L06C二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STTH16L06C

  • 生产厂家

    :ST

  • Number of Diodes_spec

    :2

  • Marketing Status

    :Active

  • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)

    :600

  • Average Rectified Current_max(A)

    :16

  • VF_max(V)

    :1.64

  • Reverse Current_max(mA)

    :0.008

  • Reverse Recovery Time_max(ns)

    :35

  • Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)

    :120

  • Junction Temperature_max(°C)

    :175

  • General Description

    :600 V

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