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STT6N3LLH6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STT6N3LLH6
厂商型号

STT6N3LLH6

功能描述

Low gate drive power losses

文件大小

1.06076 Mbytes

页面数量

12

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 22:59:00

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产品属性

  • 型号:

    STT6N3LLH6

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
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6250
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ST系列在售,可接长单
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SOT23-6
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