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STT3962N	文件：397.55 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested 文件：397.55 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STT3962N	文件：443.99 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Mos.FET 文件：443.99 Kbytes 页数：4 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
STT3962NE	文件：519.14 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFETPower MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • CCFL Inverter • DC/DC Converter • HDD 文件：519.14 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STT3962N_15	文件：443.99 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Mos.FET 文件：443.99 Kbytes 页数：4 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
STT3962NE	文件：104.95 Kbytes Page：2 Pages	2.3A , 60V , RDS(ON) 0.153 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：104.95 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
STT3962NE_15	文件：104.95 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：104.95 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
STT3962N	文件：300 bytes Page：1 Pages	MosFET	Secos 喜可士	Secos
STT3962NE	文件：300 bytes Page：1 Pages	MosFET	Secos 喜可士	Secos

更多STT3962N供应商更新时间2026-1-29 14:00:00