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TSV851ILT

Low-power,high-accuracy,general-purposeoperationalamplifier

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

UG-851

EVAL-AD7606SDZ/EVAL-AD7607SDZ/EVAL-AD7608SDZUserGuide

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

UPA851TD

NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5737,2SC5736) Q1:Lownoisetransistor NF=1.5dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz Q2:Lowphasedistortiontransistorsuited

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

XCSPR851

safetyswitchXCSPR-spindle30mm-1NC2NO-Pg11

SCHNEIDERSchneider Electric

施耐德施耐德电气

XCSTL851

safetyswitchXCSTL-straightlever-centred-3NC-Pg11

SCHNEIDERSchneider Electric

施耐德施耐德电气

XCSTR851

safetyswitchXCSTR-spindle30mm-3NC-Pg11

SCHNEIDERSchneider Electric

施耐德施耐德电气

XINA851RGTR

INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithAttenuatingGainandOutputClamping

1Features •Gainprogrammablefrom G=0.2to10,000byusingexternalresistor •Fullydifferentialoutputswithintegratedclamping •Lowoffsetvoltage:10μV(typ),35μV(max) •Lowoffsetdrift:0.1μV/°C(typ),0.3μV/°C(max) •Lowinputbiascurrent:5nA(typ) •Inputstagenoise

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

XINA851RGTR

INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithOptionalAttenuatingGain

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

ZTX851

GateDriver

Description: M57161L-01isahybridintegratedcircuitdesignedfordrivingPowerexF-SeriesIGBTmodules.Thisgatedriverconvertslogiclevelcontrolsignalsintohighcurrentgatedrivewithsuitableonandoffbiasvoltages.Electricalisolationoftheinputcontrolsignalisprovidedbyan

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

ZTX851

NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHCURRENTTRANSISTOR

FEATURES *60VoltVCEO *5Ampscontinuouscurrent *Upto20Ampspeakcurrent *Verylowsaturationvoltage *Ptot=1.2Watts APPLICATIONS *Emergencylightingcircuits

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    STSA851-AP

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    450mV @ 200mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 2A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

  • 供应商器件封装:

    TO-92AP

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 5A TO92AP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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STMicroelectronics
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更多STSA851-AP供应商 更新时间2025-7-25 10:12:00