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STS9P3LLH6中文资料P沟道-30 V、12 mOhm典型值、-9 A STripFET H6功率MOSFET，SO-8封装数据手册ST规格书
STS9P3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STS9P3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：SO-8
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0225
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.015
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-9
- PTOT_max(W)
：2.7
- Qg_typ(nC)
：24
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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STMicroelectronics |
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ST |
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ST/意法半导体 |
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