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STS9P3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STS9P3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：SO-8
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0225
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.015
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-9
- PTOT_max(W)
：2.7
- Qg_typ(nC)
：24
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
SOIC-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SOIC-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
23+ |
SOP-8 |
25000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
24+ |
SOP-8 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
SOIC-8 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
SOIC-8 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
8-SOIC(0.154 |
38550 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
24+ |
SOIC-8 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
SOIC-8 |
10000 |
只有原装,绝对原装,假一罚十 |
询价 |
