首页>STS8N6LF6AG>规格书详情
STS8N6LF6AG数据手册ST中文资料规格书
STS8N6LF6AG规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
• Logic level
技术参数
- 制造商编号
：STS8N6LF6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：SO-8
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.026
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.024
- Drain Current (Dc)_max(A)
：8
- PTOT_max(W)
：3.2
- Qg_typ(nC)
：27
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
SOIC-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
8-SOIC(0.154 |
9548 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
SOIC-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
8-SOIC(0.154 |
32000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
SOIC-8 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
SOIC-8 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
SOIC-8 |
10000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
8-SOIC(0.154 |
38550 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
24+ |
SOIC-8 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 |
