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STS8N6LF6AG中文资料汽车级N沟道60 V、21 mOhm典型值、8 A STripFET F6功率MOSFET，SO-8封装数据手册ST规格书
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描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
• Logic level
技术参数
- 制造商编号
：STS8N6LF6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：SO-8
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.026
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.024
- Drain Current (Dc)_max(A)
：8
- PTOT_max(W)
：3.2
- Qg_typ(nC)
：27
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2511 |
SOIC-8 |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
SOIC-8 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOP-8 |
1314 |
国产南科平替供应大量 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
询价 | |||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
SOIC-8 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
8-SOIC(0.154 |
32000 |
询价 | |||
ST |
22+ |
8SOIC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
SOIC-8 |
16900 |
原装现货,实单价优 |
询价 |
