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STS8DN6LF6AG中文资料汽车级双路N沟道60 V、21 mOhm典型值、8 A STripFET F6功率MOSFET,SO-8封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STS8DN6LF6AG

功能描述

汽车级双路N沟道60 V、21 mOhm典型值、8 A STripFET F6功率MOSFET,SO-8封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 17:10:00

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STS8DN6LF6AG规格书详情

描述 Description

This device is a dual N-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

特性 Features

• AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
• Logic level

技术参数

  • 制造商编号

    :STS8DN6LF6AG

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :SO-8

  • Grade

    :Automotive

  • VDSS(V)

    :60

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)

    :0.026

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.024

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :8

  • PTOT_max(W)

    :3.2

  • Qg_typ(nC)

    :27

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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