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STS8DN3LLH5中文资料双路N沟道30 V、0.0155 Ohm典型值、10 A STripFET(TM) V功率MOSFET,SO-8封装数据手册ST规格书

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厂商型号

STS8DN3LLH5

功能描述

双路N沟道30 V、0.0155 Ohm典型值、10 A STripFET(TM) V功率MOSFET,SO-8封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 15:50:00

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STS8DN3LLH5规格书详情

描述 Description

This STripFET™V Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to achieve very low on-state resistance providing also one of the best-in-class FOM.

特性 Features

• RDS(on) * Qg industry benchmark
• Very low switching gate charge
• Extremely low on-resistance RDS(on)
• Low gate drive power losses
• High avalanche ruggedness

技术参数

  • 制造商编号

    :STS8DN3LLH5

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :SO-8

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :30

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)

    :0.022

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.019

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :10

  • PTOT_max(W)

    :2.7

  • Qg_typ(nC)

    :5.4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
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