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STS8C5H30L中文资料N-channel 30 V, 0.018 Ohm typ., 8 A, P-channel 30 V, 0.045 Ohm typ., 5 A Power MOSFET in a SO-8 package数据手册ST规格书
STS8C5H30L规格书详情
描述 Description
This device is a complementary N-channel and P-channel Power MOSFET developed using STripFET™ II (P-channel) and STripFET™ V (N-channel) technologies. The resulting transistors show extremely high packing density for low on-resistance and rugged avalanche characteristics.
特性 Features
• Conduction losses reduced
• Switching losses reduced
• Low threshold drive
• Standard outline for easy automated surface mount assembly
技术参数
- 制造商编号
：STS8C5H30L
- 生产厂家
：ST
- Package
：SO-8
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.022
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.025
- Drain Current (Dc)_max(A)
：8
- PTOT_max(W)
：2
- Qg_typ(nC)
：7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
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