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STS4DNF60	文件：71.01 Kbytes Page：5 Pages	N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthesecondgenerationofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STS4DNF60L	文件：71.01 Kbytes Page：5 Pages	N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthesecondgenerationofSTMicroelectronicsuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STS4DNF60L	文件：1.08919 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET

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N - CHANNEL 60V - 0.045ohm - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET

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意法半导体意法半导体集团

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STS4DNF60L

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Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
STS4DNF60
功能描述：
MOSFET N Ch 60V 0.070 Ohm 4A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STS4DNF60供应商更新时间2025-5-29 10:08:00

详细参数

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