STS3P6F6数据手册ST中文资料规格书
STS3P6F6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
R
DS(on)* Qg industry benchmark
Extremely low on-resistance R
DS(on)
High avalanche ruggedness
Low gate drive power losses
技术参数
- 型号：
STS3P6F6
- 功能描述：
MOSFET P-Ch 60V 0.13 Ohm 3A STripFET VI
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
60 V
- 漏极连续电流：
3 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.13 Ohms
- 配置：
Single
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
SO-8
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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