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STS26N3LLH6中文资料N-channel 30 V, 0.0038 Ohm, 26 A, SO-8 STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET数据手册ST规格书
STS26N3LLH6规格书详情
描述 Description
This product utilizes the 6th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure.The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.
特性 Features
• RDS(on)* Qgindustry benchmark
• Extremely low on-resistance RDS(on)
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power losses
• Very low switching gate charge
技术参数
- 制造商编号
：STS26N3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：SO-8
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0053
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0044
- Drain Current (Dc)_max(A)
：26
- PTOT_max(W)
：2.7
- Qg_typ(nC)
：40
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
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