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STS26N3LLH6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STS26N3LLH6

功能描述

N-channel 30 V, 0.0038 廓, 26 A, SO-8 STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET

文件大小

730.25 Kbytes

页面数量

14

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 23:00:00

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产品属性

  • 型号:

    STS26N3LLH6

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V 0.0039 Ohm 26A STripFET VI DG

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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